[问答题,论述题] 分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。

[问答题,论述题] 杂质原子的扩散方式有哪几种？它们各自发生的条件是什么？从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。

[问答题,简答题] 写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。

[问答题,论述题] 以P2O5为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。

[问答题,论述题] 假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。

[问答题,简答题] 什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别是什么？

[问答题,论述题] 说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。

[问答题,简答题] 简述几种常用的氧化方法及其特点。

[问答题,论述题] 以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。

[问答题,论述题] 集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？

[问答题,论述题] 简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。

[问答题,论述题] 说明影响氧化速率的因素。

[问答题,论述题] 采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。

[问答题,论述题] 离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？

[问答题,论述题] 什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？

[问答题,论述题] 简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。

[问答题,论述题] 热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。

[问答题,论述题] 什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题？

[问答题,论述题] 对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后，滑移现象变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的？

[问答题,论述题] 物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。